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　　申请日期为2024年8月△-△☆。需求暴增△●◇▷▼！国家知识产权局信息显示○▷▽△-●，金融界2024年12月10日消息•-，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为◇◁••“外延生长方法及装置◆○=”的专利▷▲•○◁△，上海有人8天能赚上万元▼•，◇△○▲“一天跑了17单▽△□”▲▼.-▼.☆□▪◇◆◇.春节期间这个生意太火爆→公开号CN 119092422 A▷◇，

　　专利摘要显示○•△▽▷△，本发明提供了一种外延生长方法及装置○●=□■，属于半导体制造技术领域○○★▲=。外延生长方法□☆，包括▷•：将晶圆送入外延反应腔室•●◁•☆，在所述晶圆上生长外延层△□•★★…；获取所述外延层多个预设测试点位的电阻率◆◇-★◆☆，所述多个预设测试点位包括位于所述外延层中心的第一测试点位和其他测试点位▷△-◆•；计算所述外延层的电阻率均一性□☆▲■；在所述外延层的电阻率均一性大于预设阈值时▲=▷□节凯发k8国际首页登录西安奕斯伟申请外延生长方法及，将所述第一测试点位的电阻率与所述其他测试点位的电阻率进行比对●◆•□，并根据比对结果对所述外延反应腔室的目标加热模组的功率进行调整○◁▷●□◇。本发明能够高效准确地对外延反应腔室的温场进行调节◆=□▽-，改善外延晶圆的电阻率均一性▲◇▲▼▪◆装置专利能够高效准确地对外延反应腔室的温场进行调。

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